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kageyama takeo

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Si(100)ジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット直接成長のための核形成層の形成

2017
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Si(100)ジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット直接成長のための核形成層の形成 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター

2017
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波長1.3μm帯量子ドットDFBレーザの150°C単一波長発振

2012
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Semiconductor device and method for manufacturing same, integrated substrate, optical module and optical communication device

2011
- nisi ken'iti
- kageyama takeo
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CBE法による波長1.4μm GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの室温発振

2001
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