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O Fujitsu Limited Yano

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Verfahren zur herstellung einer beschichtung aus amorphem siliziumoxid mit niedriger dielektrizitatskonstante und durch dieses verfahren erhaltene beschichtung aus amorphem siliziumoxid mit niedriger dielektrizitatskonstante

2003
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Resistmusterverdickungszusammensetzung, Resistmuster, Verfahren zu dessen Herstellung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

2002
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Appareil de traitement à plasma

1984
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