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paruhatto ahemeto

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コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_ Ga_ Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

2011 SDM | SIAM International Conference on Data Mining
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コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析

2011
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SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

2010 SDM | SIAM International Conference on Data Mining
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