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tosio hirao

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1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)

2012
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MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)

2012
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宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)

2008
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C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

2008
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SOI中に生成した収集電荷の測定について (第10回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会--1997年7月7日、8日国立環境研究所大山記念ホール) -- (イオンビーム応用(2))

1998
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高エネルギーイオン・マイクロビームによる半導体デバイス分析技術の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

1998
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