Influence of radiation defects on the photoelectric properties of polycrystalline CDTE films with deep impurity levels
0
Citation
13
Reference
10
Related Paper
Abstract:
In this paper, the effect of boron implantation at doses of 9⋅10 14 cm -2 on the deep-level spectra of polycrystalline CdTe films doped with silver is considered. It was found that boron implantation results in the formation of radiation defects in the region close to the surface of 0.2 μm. It was determined that the location of deep local levels, the activation energy of which is equal to Ec-1.15 eV, is located in the intercrystal barriers. The implanted CdTe: Ag layers are thermally treated for 30 min at a temperature of 100⁰C and the restoration of the barriers in these layers is shown: the interlayer grows and the concentration of levels participating in the photovoltage increases. Heating of non-implanted layers under the same conditions does not affect the shape of the primacy absorption spectra, but only increases its value in its own region by 1.4 times, i.e. heating improves the barriers only in the implanted layers.Keywords:
Photoelectric effect
Cadmium telluride photovoltaics
FeVO4 crystallites were prepared by sonochemical method using NH4VO3 and Fe(NO3)3 · 9H2O as source precursors.The phase,morphology and optical properties of as-prepared samples were characterized by XRD,SEM,UV-vis absorption spectra and DSC.The results show that the synthesized FeVO4 crystallites have triclinic structure.The particle size of the crystallites decrease gradually and change more uniformity with the increase of ultrasonic irradiation power from 300 W to 500 W.UV-vis absorption spectra show that FeVO4 crystallites exhibit strong absorption in visible band,the grain size decreases and the corresponding bandgaps decrease about from 2.17 eV to 2.08 eV with the increase of ultrasonic irradiation power.
Triclinic crystal system
Cite
Citations (2)
Cite
Citations (15)
Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених методом термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша – відпал на повітрі. Після цього проводилась обробка зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки. Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ІТО/CdTe приводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких алмазоподібних плівок отримано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ІТО/CdTe. На структурах ІТО/CdTe, отриманих термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню приводила до значного збільшення спектральної чутливості у діапазоні довжин хвиль 400–800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню нанесення алмазоподібних плівок.
Cadmium telluride photovoltaics
Cite
Citations (1)
Cite
Citations (15)
CdS crystallites with rod- and flower-like architectures were synthesized using a facile hydrothermal growth method. The hexagonal crystal structure of CdS dominated the growth mechanisms of the rod- and flower-like crystallites under specific growth conditions, as indicated by structural analyses. The flower-like CdS crystallites had a higher crystal defect density and lower optical band gap value compared with the rod-like CdS crystallites. The substantial differences in microstructures and optical properties between the rod- and flower-like CdS crystallites revealed that the flower-like CdS crystallites exhibited superior photoactivity, and this performance could be further enhanced through appropriate thermal annealing in ambient air. A postannealing procedure conducted in ambient air oxidized the surfaces of the flower-like CdS crystallites and formed a CdO phase. The formation of heterointerfaces between the CdS and CdO phases mainly contributed to the improved photoactivity of the synthesized flower-like CdS crystallites.
Nanochemistry
Crystal (programming language)
Cite
Citations (33)
radiation damage
Cite
Citations (18)
Cite
Citations (6)
Thin-film n-CdS/p-CdTe solar cells have been fabricated from electrodeposited CdS and CdTe layers. Cells made with crystalline CdTe films were 9.0%–11.5% efficiencies whereas those with CdTe of structural imperfection gave up to 6.8% efficiency. Cell efficiencies varied with growth conditions of CdTe depositions. Scanning electron micrographs and x-ray diffraction patterns showed that the CdTe deposits of relatively good cells had less grain boundaries and better crystallinity than less efficient cells. Capacitance measurements showed that the cells made with CdTe of structural imperfection had large number of interface states relative to those with crystalline CdTe films.
Cadmium telluride photovoltaics
Cite
Citations (28)
Температура подложки играет ключевую роль при выращивании методом молекулярнолучевой эпитаксии соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Отклонение температуры от оптимального значения на 5-10 градусов может привести к образованию прорастающих дефектов и критическим образом сказаться на качестве выращиваемых структур. В условиях, когда определяющим механизмом теплообмена является тепловое излучение, постоянство мощности нагревателя не обеспечивает постоянной температуры подложки из-за изменения теплового баланса в начале роста [1, 2]. Поэтому актуальной задачей является определение температуры и направленности её изменения на начальной стадии эпитаксии КРТ, чтобы скомпенсировать эти изменения. Нами разработан и реализован метод бесконтактного измерения температуры подложки с буферным слоем CdTe. Он основан на температурной зависимости края поглощения CdTe, который определяется из спектров эллипсометрических параметров. Для этого создан и установлен на камеру эпитаксии КРТ адаптированный спектральный эллипсометр. Предложен алгоритм обработки спектров () и (), позволяющий с высокой точностью устанавливать начало интерференционных осцилляций в 6 мкм буферном слое CdTe и определять длину волны края поглощения CdTe. Проведена калибровка зависимости края поглощения от температуры. Метод позволяет определять температуру подложки Si/CdTe перед ростом КРТ, а также в начале роста при малых толщинах КРТ, пока наблюдаются интерференционные осцилляции эллипсометрических параметров на слое CdTe. Показаны результаты измерения температуры в процессе выхода на температурный режим (до 1600 с) и в первые минуты роста КРТ состава х=0.45 (выше 1600 с). Точность измерения температуры перед началом роста составляет 2-3 градуса и ухудшается с увеличением толщины слоя КРТ из-за возрастания в нём оптического поглощения. С началом роста КРТ наблюдается тренд к возрастанию температуры. На наш взгляд это связано с изменением излучательной способности растущей структуры, что приводит к нарушению теплового баланса. Численные оценки, выполненные по модели лучистого теплообмена, согласуются с экспериментом и показывают, что при нанесении 200 нм слоя КРТ возрастание температуры в стационарных условиях может достигать 50С. Таким образом, проведённые расчёты и эксперимент показывают, что для поддержания оптимальной температуры роста необходимо учитывать изменение излучательной способности гетероструктуры Hg1-xCdxTe/CdTe/Si и компенсировать это изменением режима нагрева.
Cadmium telluride photovoltaics
Cite
Citations (0)
Cadmium telluride photovoltaics
Cite
Citations (45)