ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法、それにより得られるＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板、それらを用いた半導体装置

【課題】 高品質のＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板を低圧低温の穏やかな条件で製造可能な製造方法を提供する。 【解決手段】 窒素含有ガス雰囲気下、ガリウムおよびナトリウムの混合融解液において、ガリウムと窒素とを反応させてＧａＮ結晶を生成させるＧａＮ結晶の製造方法において、前記反応を、大気圧を超える加圧条件下で行い、その加圧条件の圧力Ｐ１（ａｔｍ（×１．０１３×１０ 5 Ｐａ））を、下記条件式（I）の条件を満たすようにする。 Ｐ≦Ｐ１＜（Ｐ＋４５） （I） 前記式（I）において、Ｐ（ａｔｍ（×１．０１３×１０ 5 Ｐａ））は、前記混合融解液の温度Ｔ℃におけるＧａＮ結晶が生成する最低圧力である。 【選択図】 図２