High Field Positive Magnetoresistance in the Variable Range Hopping Regime in n-Type CuInSe2

Electrical conduction by the variable range hopping mechanism of Mott type is observed in n-type CuInSe2 over a wide temperature range up to about 50 K. A detailed study of the field dependence up to 15 T of the localization length ξ and T0 is made at different temperatures. The increase of ξ with B at lower values is consistent with the magnetic field induced delocalization effect whereas at higher values it decreases due to the shrinkage of the wave functions of the impurity states. The variation of experimental T0 with B shows a similar trend as predicted by the theory but its magnitude is much smaller. This is attributed to the increase in the dielectric constant due to correlation effects not taken into account in the theoretical expression for the density of states. La conduction electrique par le mecanisme de saut a distance variable de type Mott est observee dans le CuInSe2 type n dans un large domaine de temperature, au dessus de 50 K environ. Une etude detaillee de la dependance en champ jusqu' a 15 T de la longueur de localisation ξ et de T0 a ete faite a differentes temperatures. L'augmentation de ξ avec B a bas champ est coherente avec l'effet de delocalisation induit par le champ magnetique, tandis qu' a plus fort champ ξ decroǐt a cause du retrecissement des fonctions d'onde des etats d'impurete. La variation de T0 avec B montre une tendance similaire comme prevu par la theorie, mais son amplitude est beaucoup plus faible. Ceci est attribue a l'augmentation de la constante dielectrique due a l'effet de correlation qui n'a pas ete pris en compte dans l'expression theorique de la densite d'etat.