Contribution à la modélisation et la simulation de l'effet des porteurs chauds sur les transistors NMOS submicroniques

La reduction incessante des dimensions geometriques des composants electroniques s'est accompagnee d'une augmentation de l'importance relative des phenomenes du second ordre que ce soit en terme de modelisation electrique ou de fiabilite intrinseque. Les porteurs chauds sont ainsi devenus un des principaux facteurs limitatifs en terme de duree de vie des circuits electroniques modernes. Ces porteurs issus de l'augmentation des champs electriques internes provoquent des modifications irreversibles du systeme Si-SiO2 et par suite des caracteristiques electriques des transistors. Ces variations se repercutent sur le fonctionnement des circuits integres et peuvent conduire a une perte de fonctionnalite. Il est donc indispensable de pouvoir integrer ces phenomenes des la phase de conception des circuits electroniques de forte fiabilite. C'est le role d'outils de simulation du type de BERT. Afin de pouvoir evaluer ce logiciel, nous avons du effectuer une etude approfondie des differents processus physiques responsables des degradations et des modeles de prediction de la duree de vie. Ces modeles et plus particulierement ceux utilises dans BERT ont ensuite ete verifies experimentalement sur une technologie CMOS 0,6 microns. Nous avons ainsi pu determiner leurs limites de validite et mettre en place une methode rationnelle d'utilisation du logiciel BERT.