Procédé de nettoyage d'un semi-conducteur en carbure de silicium

L'invention concerne un procede de nettoyage d'un semi-conducteur en SiC (2) qui consiste notamment a former un film d'oxyde sur une surface (2a) du semi-conducteur en SiC (2), et retirer le film d'oxyde. Le film d'oxyde est forme en utilisant de l'eau ozonee a une concentration d'au moins 30 ppm. L'etape de formation du film d'oxyde comprend de preference une etape de chauffage de la surface (2a) du semi-conducteur en SiC (2) et/ou de l'eau ozonee. On met ainsi en œuvre un procede de nettoyage du semi-conducteur en SiC (2).