(Ga) 12 N,（Ga） 12 B荷电团簇的电子结构与磁性

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似(GGA)研究20面体(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道(HOMO)、最低未占据轨道(LUMO)及其能隙,分析了(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构(Ga)12B1+荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.