Анализ причин неработоспособности кристаллов Ethernet контроллера 1990ВГ3Т

Разработана и успешно опробована методика поэтапного исследования физико-технологических причин неработоспособности кристаллов интегральной микросхемы (ИМС) Ethernet контроллера 1990ВГ3Т с применением неразрушающих и разрушающих методов: - локализации дефектов по результатам функционального тестирования и регистрации фотоэмиссии, - послойного удаления слоёв металлизации, - нанозондирования электрофизических характеристик транзисторных структур, - исследования локализованной области на ионно-электронном микроскопе. Получены важные результаты, раскрывающие технологическую причину неработоспособности ИМС.