InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi

Bu calismada, MOCVD yontemi ile uretilen InGaN/GaN isik yayan diyot (LED) yapilarinin mozaik yapilari analiz edildi. Safir alttas uzerine biriktirilen,  farkli In kompozisyonuna sahip InGaN/GaN bariyer tabakasinin mozaik yapi uzerine etkisi Yuksek Cozunurlu X Isini Kirinimi (HR-XRD) yontemi ile karakterize edildi. Amacimiz mozaik yapi hesaplarindan yararlanarak LED yapisinin kalitesini arttirmaktir. Gunumuzde LED' lerin genis bir kullanim alanina sahip olmasindan dolayi sektorde buyuk bir pazar payi bulunmaktadir. Ozellikle InGaN gibi, GaN bazli LED' ler arsenik bazli LED' lerden daha yuksek guc, sicaklik ve frekans araliklarinda calisabilirler. Ancak GaN tabanli LED' ler hala yuksek kusur yogunluklarina sahiptir. Bu nedenle calismalarimizda mozaik yapi analizi yapildi. Hesaplamalarimizda Vegard ve William Hall yari deneysel metotlari kullanildi. Kompozisyonun, kenar ve vida turu kusurlarin azalmasina yol acan onemli bir faktor oldugunu soyleyebiliriz.