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耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
2011
eiwa umeda
asa mi ryou suzuki
yosiharu an ta
masahiro isida
tetuzou ueda
tuyosi tanaka
daisuke ueda
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