Formation de couches dielectriques a coefficient k eleve sur des susbtrats lisses

Aux fins de l'invention, on peut realiser une couche tampon et un dielectrique en oxyde metallique a coefficient k eleve sur un substrat en silicium lisse. Le caractere lisse du substrat permet de reduire la croissance colonnaire du dielectrique de grille en oxyde metallique a coefficient k eleve. La surface du substrat peut etre saturee avec des terminaisons hydroxyle avant le depot.