共沉淀法制备Ce掺杂的Gd 3 (Al, Ga) 5 O 12 粉体

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水, 共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体, 并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理, 采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征, 结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。