Systeme de formation de film par plasma

L'invention concerne un systeme de formation de film par plasma, comprenant deux premieres electrodes (51) connectees a une alimentation (4) et deux secondes electrodes (52) mises a la terre, disposees sequentiellement comme suit : la seconde electrode (52), la premiere electrode (51), la premiere electrode (51) et la seconde electrode (52). Un gaz pour matiere de film (premier gaz) passe dans un premier circuit d'ecoulement (50a) forme entre les premieres electrodes (51) se trouvant au centre. Un gaz d'excitation (second gaz) qui est excite de maniere qu'il forme un film a partir de la matiere, au moyen de plasma, mais ne formant un film que lorsqu'il est excite, passe dans des seconds circuits d'ecoulement ou des espaces de decharge de plasma (50b), entre les premiere et secondes electrodes (51, 52) des cotes opposes. Ces gaz se melangent (20c) au niveau du croisement entre les premier et seconds circuits d'ecoulement et sont decharges par un circuit de decharge commun (25c). Ainsi, le film ne peut se deposer sur des elements constitutifs du systemes, tels que des electrodes.