후면 전극형 박막 솔라셀과 그의 제조방법

본 발명은 후면 전극형 박막 솔라셀과 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 솔라셀의 후면에 전극을 형성함으로써 입사되는 태양광의 면적을 높이고, 박막형의 반도체층을 적용하여 고가의 반도체 원료의 사용을 줄일 수 있는 후면 전극형 박막 솔라셀과 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 후면 전극형 박막 솔라셀의 제조방법은 표면 베이스층 상에 n 형의 제 1반도체층을 형성하는 제 1반도체층 형성단계(S1)와 상기 제 1반도체층 상부에 터널 접합층을 형성하는 터널 접합층 형성단계(S2)와 상기 터널 접합층의 상부에 n형의 반도체와 p형의 반도체를 수평방향으로 교차 반복시켜 형성하는 제 2반도체층 형성단계(S3)와 상기 제 2반도체층 상부에 후면 전극층을 형성하는 후면 전극층 형성단계와(S4)와 상기 제 2반도체층의 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 소정영역과 상기 소정영역 상에 형성된 상기 후면전극층을 에칭하는 접합 분리 단계(S5)를 포함하는 것을 특징으로 한다.