添加纳米SiO_2对Mg-Al-Si-O系陶瓷烧结及介电性能的影响

2009 
通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10~20%时可以有效降低材料的介电常数;含量为30%时可以获得最大体积密度和弯曲强度。
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