MgO/Eu 2 O 3 共掺杂对Al 2 O 3 陶瓷微波介电性能的影响

利用湿化学法制备了MgO/Eu 2 O 3 共掺Al 2 O 3 陶瓷, 研究了不同的MgO/Eu 2 O 3 掺杂量对Al 2 O 3 陶瓷物相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明: 适量的MgO/Eu 2 O 3 共掺有助于Al 2 O 3 的致密化和晶粒生长。在介电性能方面, MgO/Eu 2 O 3 共掺对Al 2 O 3 陶瓷的介电常数没有明显的影响, 但对介电损耗的影响显著。随着Eu 2 O 3 含量的增加, Al2O3陶瓷的Q×f值会呈现先增加后下降的变化趋势。0.05wt% MgO/0.10wt% Eu 2 O 3 共掺的样品在1590℃下保温4 h获得的微波介电性能最佳, er~9.82, Q×f ~225, 225 GHz。Q×f值的这种变化可能与样品微观结构的变化相关。先是随着MgO/Eu 2 O 3 共掺量的增加, 晶粒尺寸不断增加, 晶界不断减少, 这有利于Q×f值的提高; 接着, 当MgO/Eu 2 O 3 共掺量进一步增加时, 晶粒尺寸不断下降, 晶界增多, 这会导致样品Q×f值的降低。另外, 应力和第二相也可能对Q×f值的变化产生影响。