血管内皮细胞生长因子对放射性脑损伤作用的研究进展

放射性脑损伤(radiation-induced brain injury,RBI)系脑部或脑毗邻的病变区域经放射治疗后诱发的脑组织损伤.目前RBI作用机制尚无定论,主要分为直接损伤学说、自身免疫反应学说、血管损伤学说和自由基损伤学说[1].其中,射线作用于中枢神经系统导致脑血管损伤的临床意义尤为重要,而血管损伤后神经系统的修复又是RBI治疗的关键.Ferrara和Henzel[2]在牛垂体滤泡星形胶质细胞培养液中分离出血管内皮细胞生长因子(vascular endothelial growth factor,VEGF),其参与胚胎形成及骨生长过程中生理性血管的形成,能导致脉管系统的渗漏,应答中枢及外周神经系统缺血后血管再生.本文综合探讨VEGF在放射性脑损伤过程中的作用机制。