Verfahren zur Abscheidung dünner Praseodymoxid-Schichten mittels ALD/CVD-Verfahren

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dunner Praseodymoxidschichten als Dielektrikum in einem elektronischen Bauelement einer Halbleitereinrichtung. Die Abscheidung des Praseodymoxids erfolgt durch ein CVD-Verfahren oder ein ALD-Verfahren. Das Verfahren erlaubt die Abscheidung von Praseodymschichten auch auf Substraten mit hoher Topographie.