망상 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법

본 발명은 망상의 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 투명 기판 위에 망상의 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 입자물질과 탄소나노튜브로 박막을 형성한 후 입자물질을 제거하여 망상의 탄소나노튜브 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 투명전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탄소나노튜브 투명전극은 광투과도가 유지되면서도 전기전도성이 우수하여 이미지센서, 태양전지, 액정 디스플레이 장치, 유기 EL 디스플레이, 터치 스크린 패널 등과 같이 광투과 특성과 전기전도성 등 두 가지 특성을 동시에 필요로 하는 각종 전자 소자에 폭 넓게 사용될 수 있다. 탄소나노튜브(CNT), 투명전극, 망상의 탄소나노튜브 박막층, 입자물질, 콜로이드 입자