Convertisseur photoélectrique, réseau de convertisseurs photoélectriques et dispositif d'imagerie

La presente invention concerne un convertisseur photoelectrique comportant une premiere jonction p-n comprenant au moins deux regions de semi-conducteurs de differents types de conductivite, et un premier transistor a effet de champ comprenant une premiere source connectee a l'une des regions de semi-conducteurs, un premier drain, une premiere grille isolee et un canal de meme type de conductivite que celui d'une des regions de semi-conducteurs. Le premier drain est alimente par un second potentiel qui entraine dans la premiere jonction p-n une polarisation nulle ou une polarisation inverse par rapport a un potentiel des autres regions de semi-conducteurs. Lorsque la premiere source est alimentee par un premier potentiel entrainant dans l'une des regions de semi-conducteurs une polarisation nulle ou une polarisation inverse par rapport aux autres regions de semi-conducteurs, la premiere jonction p-n est controlee pour ne pas etre polarisee par une tension directe profonde par l'alimentation d'un premier potentiel a la premiere grille isolee, meme lorsque l'une ou l'autre des regions de semi-conducteurs est exposee a la lumiere.