用光电灵敏度法研究a—Si：H中的电荷放大效应

测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下，高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。