Diffusion de l'arsenic dans les structures silicium-sur-isolant obtenues par implantation d'oxygène

L'etude par microscopie electronique sur tranche (XTEM) spectrometrie de masse d'ions secondaires (SIMS) et la resistance d'un volume croissant, montre une acceleration de la diffusion d'arsenic avec accumulation des impuretes inactives dans la partie superieure de la couche mince de silicium. Explication; simulation par le modele de piegeage de Mc Nabbe et Foster