Dispositif a semiconducteur et procede de fabrication

2003 
Sachant que la microminiaturisation augmente la resistance d'une structure de câblage et diminue la resistance a la migration des electrons et des contraintes, l'invention concerne une structure de câblage de dispositif a semiconducteur ayant une faible resistance meme lorsque ce dispositif est microminiaturise, sans migration des electrons et des contraintes, et a fiabilite elevee. L'invention concerne egalement un procede de fabrication correspondant. On decrit un dispositif a semiconducteur equipe d'une fiche de câblage ou de connexion en melange de metal et de nanotubes de carbone enterres dans une rainure de câblage ou une traversee de film isolant sur un substrat utilise pour la realisation d'une puce en semiconducteur. L'invention concerne egalement un procede de fabrication correspondant.
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