Interface formation with ions and neutral atoms

Etude des morphologies et de la deformation des bandes de In/GaAss(110), Bi/GaAs(110) et Ag/InP(110). Les resultats montrent que des ions acceleres a 200 eV derangent les substrats In/GaAs et Bi/GaAs on augmentent le derangement de Ag/InP. Trois croissances tridimensionnelles apparaissent pour les deux types d'interface