Artificial Modulation of Ferroelectric Thin Films into Antiferroelectric through H^＋ Implantation for High-Density Charge Storage

氢离子与 5 x 10 的流动(14 ) 在 40keV 的精力被植入进 Pb (Zr0.3Ti0.7 ) O-3 薄电影离子 / 厘米(2 ) 。在植入的薄电影的 Pseudo-antiferroelectric 行为被观察，由极化对电的磁滞现象环和电容对电压曲线的大小证实了。X 光检查衍射模式两个都显示在 H+ 培植前后的电影结构是四角形的对称的 perovskite。这些调查结果显示氢离子在这些电影以内作为稳定的掺杂物存在。掺杂物经由边界费用赔偿改变切换域的行为，这被相信。同时，比没有离子的培植， 1s 主要与原来的电影的一样比 10 年代在短的时间为植入的电影，而是电流在一份订单将近显示漏电流的改进长在时间以后预定漏电流密度的依赖。在薄电影最后被证明为高密度的费用存储的设备申请可完成的铁电体的通过 H+ 培植的反铁电体行为的人工的定制。