KH-SiO 2 /PES/BMI-F51复合材料的介电性能

采用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷（KH-560）修饰纳米二氧化硅（nano-SiO2）获得改性纳米二氧化硅（KH-SiO2）。以酚醛环氧树脂（F51）和双马来酰亚胺（BMI）作为基体，添加4%（质量分数，下同）聚醚砜（PES）和不同含量（0.5%~2.5%）的KH-SiO2，制备KH-SiO2/PES/BMI-F51多相复合材料。红外光谱（FT-IR）、扫描电镜（SEM）和透射电镜结果表明：纳米SiO2表面修饰效果良好，纳米粒子团聚倾向减弱，粒径减小，比表面积增大。介电性能测试结果表明：随着KH-SiO2掺杂量的增加，材料的介电常数先降低后升高，介电损耗没有明显变化，体积电阻率和击穿强度先升高后降低。当KH-SiO2掺杂量为1.5%时，10Hz下介电常数和介电损耗角正切分别为4.55和0.0029，体积电阻率和击穿强度分别为1.74×1014Ω·m和29.11kV/mm，比树脂基体提高了68.9%和35.9%。