Semiconductor junction forming process including a low temperature plasma deposition and high-speed optical annealing of the light absorbing layer

ワークピースの半導体材料内に半導体接合部を形成する方法は、半導体材料の選択された領域内にドーパント不純物をイオン注入するステップと、ワークピースを含有したチャンバ内に光吸収体材料前駆物質ガスを導入するステップと、ＲＦソース電流を印加することで、ワークピースの上にあるプロセスゾーンを含む再入経路内にＲＦ発振トロイダルプラズマ電流を生成して、ワークピース上に光吸収体材料の層を堆積させるステップと、ワークピースを任意でアニーリングして、半導体材料内でドーパント不純物を活性化するステップとを備える。 【選択図】 図９