Fe-Mn-Si记忆合金中应力诱发γ→εM的相变机制

通过高分辨透射电镜观察得知,Fe-25%Mn-4.5%Si-1%Cr-2%Ni形状记忆合金中母相γ的亚结构主要是平行分布的、不同程度重叠的层错.母相的这一亚结构特征决定随应力诱发相变进行的程度不同,可分别形成单片状和多层状两类不同形态的e马氏体(eM),这由透射电镜观察得到了证实.这两类不同形态eM的逆相变特征亦不相同,单片状eM在逆相变时能保持较好的晶体学可逆性,有利于形状记忆效应,而多层状eM由于受到层间界面的制约,逆相变后残留下较多晶体缺陷,对形状恢复不利.