半導体装置の製造方法、半導体ウェハの加工方法、半導体ウェハ

2011 
【課題】半導体ウェハの第1の主面を支持基板に接着剤層により接着し、第2の主面を研削する工程において、支持基板の接着の際に押し出され、あるいは流出した未硬化の接着剤が、半導体ウェハの外周部を回り込んで第2の主面に到達し、研削工程を不安定にする問題を解決する。 【解決手段】半導体ウェハの第1の主面に外周部に沿って溝を形成し、支持基板の接着の際に押し出され、あるいは流出した未硬化接着剤を捕捉する。 【選択図】図4A
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