Efeitos de pressão uniaxial em lasers de GaAs

O presente trabalho e um estudo da varicao da frequencia de emissao espontanea e estimulada e da va riacao da corrente limiar, em lasers de Arseneto de Galio a 77 K, quando da aplicacao de pressao uniaxial perpendicular a juncao. Teoricamente nos baseamos num modelo em que a existencia de uma faixa de niveis aceitadores pouco profundos em relacao a banda de valencia, e a concentracao de portadores injetedos na banda de conducao afetam os resultados obtidos pela teoria que considera transicoes do tipo banda-nivel aceitador. Foram calculadas as separacoes das banda de energia degeneradas em k= 0 da banda de valencia e como esta separacao influi na variacao do indice de refracao e no ganho dos lasers de GaAs. Comparou-se, entao, os resultados de nossas medidas com os previstos pela teoria. Abstract