Origin of the shear piezoresistance coefficient pi 44 of n-type silicon.

On montre que l'origine du coefficient de resistance piezoelectrique (PR) de cisaillement Π 44 est une variation de la masse effective induite par la contrainte plutot qu'un transfert d'electron inter-vallees induit par la contrainte. Une contrainte orthorhombique detruit la symetrie rotationnelle des vallees ellipsoidales et induit de grandes modifications de la masse effective dues au caractere special du bord de la bande de conduction du silicium. L'anisotropie de la masse effective conduit alors a une tension transverse lorsque le courant circule suivant la direction [100]. Ce mecanisme predit un signe et une amplitude de Π 44 pour Si de type-n qui sont compatibles avec les experiences