温度对CVD制备Ti-Si-C涂层中Ti3SiC2形成规律的影响

采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系，低压化学气相共沉积（LPCVD）Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1100~1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明：1100℃时形成TiC涂层，无Ti3SiC2相；1150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1200℃时，Ti3SiC2晶粒沿×104？方向择优生长，而在1150℃和1250℃沉积时，择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构，当温度为1200~1250℃时，涂层分为两层，内层过渡层为柱状晶结构，主要成分为TiC；外层为TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。