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軸上基板を使用する4H‐SiC UMOSFETの増加したチャンネル移動性
軸上基板を使用する4H‐SiC UMOSFETの増加したチャンネル移動性
2007
Yano H
Nakao H
Hatayama T
Uraoka Y
Fuyuki T
Keywords:
Metallurgy
Composite material
Materials science
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