8aAE-10 短寿命核^ Bのスピン-スピン緩和時間によるSi中B不純物拡散の研究(8aAE 格子欠陥(水素・照射損傷・拡散),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))