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超高真空焼なましによるHfO 2 ゲート積層における界面SiO 2 スカベンジングにおける半導体サブ基板の顕著な効果
超高真空焼なましによるHfO 2 ゲート積層における界面SiO 2 スカベンジングにおける半導体サブ基板の顕著な効果
2014
Li Xiuyan
Yajima Takeaki
Nishimura Tomonori
Nagashio Kosuke
Toriumi Akira
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