Chambre de déposition de couche atomique avec injection multiple

La presente invention concerne un appareil et des procedes destines a deposer des matieres sur des substrats pendant des procedes de deposition de couche atomique. Dans un mode de realisation, un ensemble de couvercle de chambre comprend un canal muni d'une partie superieure et d'une partie inferieure, dans lequel le canal s'etend le long d'un axe central, un logement ayant une partie interieure et definissant au moins partiellement deux ou plusieurs canaux annulaires, un insert dispose dans la region interieure et definissant la partie superieure, la partie superieure etant couplee de maniere fluide au deux ou plusieurs canaux annulaires et une surface inferieure tronconique s'etendant depuis la partie inferieure du canal vers une partie peripherique de l'ensemble de couvercle de chambre.