Element d'espacement a base de dioxyde de silicium pour processus locos pouvant egalement etre effectue dans des renfoncements

Cette invention concerne un processus d'oxydation locale de silicium permettant de diminuer l'empietement lateral a l'aide d'elements d'espacement en dioxyde de silicium. Un oxyde faisant barriere (120) est forme sur un substrat de silicium (110), tandis qu'une couche faisant masque (130) est ensuite formee sur la couche d'oxyde faisant barriere (120). Les couches faisant masque sont ensuite eliminees de maniere a former des fenetres dans la couche faisant masque, lesquelles fenetres possedent des parois laterales (135) contre lesquelles sont formes les elements d'espacement (175) de parois laterales faits de dioxyde de silicium. Cette structure est ensuite exposee a un oxydant ambiant de maniere a former des zones d'oxyde epais (140). Les elements d'espacement (175) des parois laterales faits de dioxyde de silicium permettent de ralentir efficacement l'oxydation des substrats sous-jacents et de reduire ainsi l'empietement.