Bi^3＋气相扩散对SrTiO3基功能陶瓷晶界的影响

用均匀设计法设计实验方案，在扩散温度为１００￣１２５０℃，扩散后的降温速度为２００￣６００℃／ｈ，扩散时间为２０￣２７０ｍｉｎ及扩散源中铋含量为２５％￣５０％的范围内研究了用Ｂｉ２Ｏ３作为扩散源进行气相扩散时诸因素对ＳｒＴｉＯ３半导体陶瓷进行晶界绝缘处理的影响。对实验结果进行统计回归处理的结果表明了各因素对样品的介电常数e的影响，用ＳＥＭ、ＰＰＭＡ对陶瓷断面和晶界附近铋含量的分布测定表明，在高温下