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高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT²)技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT²)技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
2017
takuya yamaguti
hideki okumura
tatuya siroisi
tuyosi fuzita
yosifumi ata
ken ya kobayasi
Keywords:
MOSFET
High voltage
Electronic engineering
Materials science
Optoelectronics
deep trench
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