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F161004 Si基板上GaN系パワーデバイスの開発とその応用(【F16100】次世代窒化物半導体デバイスとその精密加工技術の展望,情報・知能・精密機器部門企画,先端技術フォーラム)
F161004 Si基板上GaN系パワーデバイスの開発とその応用(【F16100】次世代窒化物半導体デバイスとその精密加工技術の展望,情報・知能・精密機器部門企画,先端技術フォーラム)
2013
tetuzou ueda
Keywords:
Power semiconductor device
Gallium nitride
Materials science
Electronic engineering
Optoelectronics
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