Approche de modélisation isotrope efficace pour intégrer des effets électromagnétiques dans des simulations de processus lithographiques

La presente invention concerne la modelisation de processus lithographiques a utiliser dans la conception de photomasques pour la fabrication de circuits integres a semi-conducteurs, et en particulier la modelisation d’effets complexes dus a l’interaction de la lumiere d’eclairage avec la topographie du masque. Selon l’invention, une perturbation de l’isochamp dans une representation de masque mince du masque est fournie en determinant, pour les composants de l’eclairage, les differences entre le champ electrique sur un bord de detail ayant une epaisseur limitee et sur le bord de detail correspondant d’une representation de masque mince. Une perturbation d’isochamp est obtenue a partir d’une combinaison coherente ponderee des differences pour chaque polarisation d’eclairage. Le champ electrique d’un masque ayant des bords topographiques est represente en combinant une representation de masque mince avec la perturbation d’isochamp appliquee a chaque bord du masque.