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Acemap > Paper > GaAs(100)基板上に有機金属分子線エピタキシーによって成長した歪補償InGaP/InGaP多重量子井戸構造における井戸層厚の変調と歪み緩和

GaAs(100)基板上に有機金属分子線エピタキシーによって成長した歪補償InGaP/InGaP多重量子井戸構造における井戸層厚の変調と歪み緩和

2016 
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