一种掺杂ZrO 2 阻变存储器及其制作方法

本发明涉及一种掺杂ZrO 2 阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术 领域。所述存储器包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的 电阻转变存储层，所述下电极由Al制成，所述电阻转变存储层由Cu掺杂ZrO 2 制成。本发明的掺杂ZrO 2 阻变存储器的结构简单，采用金属活性较强的Al 作为下电极，可以吸收电阻转变存储层内ZrO 2 中的氧离子，在ZrO 2 中形成大 量的氧空位，当器件第一次由高阻态向低阻态转变时，不再需要一个高的操 作电压来激活器件，从而消除阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所 需要的Forming过程。