Feldeffekttransistoren (FET) und Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistoren

Bei einem Aspekt wird ein Halbleitersubstrat mit einem Zellbereich und einem Peripherieschaltungsbereich bereitgestellt, und eine Maskenschicht wird uber dem Zellbereich und dem Peripherieschaltungsbereich des Halbleitersubstrats gebildet. Ein FinFET-Gate wird durch Bilden einer ersten Offnung in der Maskenschicht, um eine erste Gate-Region in dem Zellbereich des Halbleitersubstrats freizulegen, und dann Bilden einer FinFET-Gate-Elektrode in der ersten Offnung unter Verwendung eines Damaszierungsverfahrens hergestellt. Ein MOSFET-Gate wird durch Bilden einer zweiten Offnung in der Maskenschicht, um eine zweite Gate-Region in dem Peripherieschaltungsbereich des Halbleitersubtrats freizulegen, und dann Bilden einer MOSFET-Elektrode in der zweiten Offnung unter Verwendung eines Damaszierungsverfahrens hergestellt.