Élément électroluminescent à semi-conducteurs à couche active de puits quantique et son procédé de fabrication

L'invention porte sur un element electroluminescente (110, 11) qui comprend une couche de semi-conducteur au nitrure de type n (10), une couche de semi-conducteur au nitrure de type p (20) et une unite electroluminescente (30). L'unite electroluminescente est disposee entre la couche de semi-conducteur de type n et la couche de semi-conducteur de type p, l'unite electroluminescente emettant une lumiere presentant une longueur d'onde de pic non inferieure a 530 nm. L'unite electroluminescente comprend une couche de barriere cote n (BLN) et une premiere couche electroluminescente (EL1). La premiere couche electroluminescente (EL1) comprend une premiere couche de barriere (BL1) disposee entre la couche de barriere cote n (BLN) et la couche de semi-conducteur de type p, une premiere couche de puits (WL1) en contact avec la couche de barriere cote n (BLN) entre la couche de barriere cote n (BLN) et la premiere couche de barriere (BL1), une premiere couche AlGaN (ML1) comprenant Al x1 Ga 1 _ x1 N (0,15≤x1≤1) disposee entre la premiere couche de puits (WL1) et la premiere couche de barriere (BL1), et une premiere couche InGaN cote p (CLa1) comprenant In ya1 Ga 1 -ya1 N (Ocouche AlGaN (ML1) et la premiere couche de barriere (BL1).