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Acemap > Paper > p~+GaN層中の残留炭素濃度を制御することによるp‐GaNへのOhm接触の改善【Powered by NICT】

p~+GaN層中の残留炭素濃度を制御することによるp‐GaNへのOhm接触の改善【Powered by NICT】

2017 
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