Gallium nitnide based field effect transistor and method of fabricating the same

본 발명의 질화갈륨계 다이오드는, 진성 질화갈륨계 반도체층; 상기 진성 질화갈륨계 반도체층과 접합된 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층; 상기 진성 질화갈륨계 반도체층의 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층과의 접합면 반대면에 위치하는 금속 재질의 제1 전극; 상기 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층의 상기 진성 질화갈륨계 반도체층과의 접합면 반대면에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극의 테두리와 접하는 상기 진성 질화갈륨계 반도체층의 일부 영역에 형성된 제2 도전형 내압층을 포함할 수 있다.